对方哑口无言，不过，也许傻的不是设计单位，而是高振东的导师吧。

俞允成对高振东这堂课心服口服，来这里果然来对了，不但学到了技术，还学会了科研的思想。

有这位科班出身的人在，高振东也很放心，他领先的是思路和原理，具体细节就不见得比俞允成更好了。

俞允成情绪也很不错：“还比较顺利，正在一项一项的装，一项一项的调。”

所以他对于开口向高振东学习，没有一点不好意思，不赶紧趁高主任有空，多扒拉点东西，那高主任不白来了。

俞允成听见了有些惊讶：“啊，这样啊，好像是比较难控制。”

“温度梯度？”

“高主任，从原理上分析，区熔法比直拉法的材料纯度要高，我们为什么不直接用区熔法搞。”

实际上哪怕到了几十年后，半导体用硅单晶的生产方法还是以这两个为主，其中直拉法占了75%左右的产量。

所以听见俞允成问这个问题，高振东还是很高兴的，向他仔细的解释。

有时候有的人容易陷入功能崇拜里面去，这个功能越多越好，越复杂越好，至于能起到什么作用，是不是对系统有利，或者为了这点儿利益付出这么大代价是否值得，没想过或者没想好。

这个话一开始他是不太好问的，这涉及到原理路线问题了，看见高振东的单晶炉设计那么完整，一开始问这个话有点全盘推翻的感觉。

高振东笑着道：“对！”

高振东笑道：“说对了，对于现在来说，直拉法的缺陷是可以通过设计手段来弥补或者削弱的，比如增加石英内坩埚。而它的好处却是实实在在的，我们不是搞理论研究，理论研究可以只盯着高处，我们搞的是应用研究，还是要看看周围。”

见大家都明白这个原理，高振东才说出来增加坩埚升降系统的原因：“而增加温度梯度最简单的办法之一，就是增加坩埚的高度，换言之，调节纵向温度梯度最简单的手段，就是升降坩埚。当然.”

俞允成负责具体的落地过程，比他更合适。

俞允成和周围在观看学习的科研组员，都觉得打开了一扇新世界的大门，以前的很多相关经验，都可以在这个里面得到解释。

“高主任，在我看来，只要坩埚加热温度稳定，热场就是稳定的，坩埚的加热温度可以靠电源功率控制来完成，而拉晶的提拉旋转和高度可以靠籽晶那头控制，为什么坩埚这头还要增加复杂的坩埚升降和旋转控制呢，这不是大大增加了系统的复杂程度吗。”

这边的具体事务，是俞允成在负责。

最后，高振东总结道：“径向温度梯度，原则上是要越均匀越好的，这就是刚才我说的要把坩埚转起来的部分原因。”

半导体器件用的单晶体，基底的掺杂本来就是常用工序之一，在这一点上，直拉比区熔可就方便多了。

高振东点点头：“没错，不过这些方法都有这样那样的问题，总的来说，电子技术上用的半导体材料，在我看来，相当一段时间内最合适的还就是正在搞的直拉法和你说的区熔法。”